Полупроводниковые вентили могут иметь сложную четырехслойную структуру из трех р—n-переходов (рис. 1). Напряжение внешнего источника
э. д. с. включается плюсом к крайнему р-переходу, а минусом — к крайнему n-переходу. При этом крайние переходы оказываются смещенными в прямом направлении, а средний n—р-переход — в обратном направлении.
Рис.1. Тиристор
а — устройство; б — условное обозначение; в — эквивалентная схема; г — схема включения; д — вольт-амперная характеристика
Ток через прибор не протекает. Однако при повышении напряжения источника до определенной величины происходит электрический пробой среднего - n-р-перехода и через прибор начинает протекать ток.
